Descrizione del prodotto
| Possibilità Tecniche | |||
| Punti | Speci. | Osservazione | |
| Formato massimo del comitato | 32 " X 20.5 " (800mm x 520mm) | ||
| Formato massimo della scheda | 2000× 610mm | ||
Spessore minimo della scheda | 2-layer 0.15mm | ||
| 4-layer 0.4mm | |||
| 6-layer 0.6mm | |||
| 8-layer 1.5mm | |||
| 10-layer 1.6~2.0mm | |||
| Riga larghezza minima/spazio | 0.1mm (4mil) | ||
| Spessore di rame massimo | 10OZ | ||
| Minuti Passo di S/M | 0.1mm (4mil) | ||
| Formato minimo del foro | 0.2mm (8mil) | ||
| Tolleranza del diametro del foro (PTH) | ± 0.05mm (2mil) | ||
| Tolleranza del diametro del foro | , +0/-0.05mm (2mil) | ||
| Deviazione di posizione del foro | ± 0.05mm (2mil) | ||
| Tolleranza del profilo | ± 0.10mm (4mil) | ||
| Torsione & Piegato | 0.75% | ||
| Resistenza di isolamento | Normale di > 10 12 Ω | ||
| Concentrazione elettrica | > 1.3kv/mm | ||
| Abrasione di S/M | > 6H | ||
| Sforzo termico | 288° C 10Sec | ||
| Verificare la tensione | 50-300V | ||
| Cieco minimo/sepolto via | 0.15mm (6mil) | ||
Finished di superficie | HASL, ENIG, ImAg, Imsn OSP, placcando AG, placcante oro | ||
Materiali | FR4, h TG, Teflon, Rogers, ceramica, alluminio, base di rame | ||
| Spazio minimo di larghezza della traccia (strato interno) | 4mil/4mil (0.1mm/0.1mm) | ||
| RILIEVO minimo (strato interno) | 5 mil (0.13mm) | larghezza dell'anello del foro | |
| Spessore minimo (strato interno) | 4 mil (0.1mm) | senza rame | |
| Spessore di rame interno | 1~4 once | ||
| Spessore di rame esterno | 0.5~6 once | ||
| Spessore Finished della scheda | 0.4-3.2 millimetri | ||
Controllo di tolleranza di spessore della scheda | ± 0.10 millimetro | ± 0.10 millimetro | 1~4 L |
| ± 10% | ± 10% | 6~8 L | |
| ± 10% | ± 10% | ≥ 10 L | |
| Trattamento interno di strato | ossidazione marrone | ||
| Possibilità Di conteggio di strato | 1-30 STRATO | ||
| allineamento fra il ml | ± 2mil | ||
| Perforazione minima | 0.15 millimetri | ||
| Foro finished minimo | 0.1 millimetri | ||
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| NO | Punto | Possibilità Tecniche |
| 1 | Strati | 1-20 strati |
| 2 | Formato massimo della scheda | 2000× 610mm |
| 3 | Spessore minimo della scheda | 2-layer 0.25mm |
| 4-layer 0.6mm | ||
| 6-layer 0.8mm | ||
| 8-layer 1.5mm | ||
| 10-layer 1.6~2.0mm | ||
| 4 | Riga larghezza minima/spazio | 0.15mm (4mil) |
| 5 | Spessore di rame massimo | 10OZ |
| 6 | Minuti Passo di S/M | 0.1mm (4mil) |
| 7 | Formato minimo del foro | 0.25mm (8mil) |
| 8 | Tolleranza del diametro del foro (PTH) | ± 0.05mm (2mil) |
| 9 | Tolleranza del diametro del foro (NPTH) | +0/-0.05mm (2mil) |
| 10 | Deviazione di posizione del foro | ± 0.05mm (2mil) |
| 11 | Tolleranza del profilo | ± 0.10mm (4mil) |
| 12 | Torsione & Piegato | 0.75% |
| 13 | Resistenza di isolamento | > Un normale di 10 12 Ω |
| 14 | Concentrazione elettrica | > 1.3kv/mm |
| 15 | Abrasione di S/M | > 6H |
| 16 | Sforzo termico | 288° C10Sec |
| 17 | Verificare la tensione | 50-300V |
| 18 | Cieco minimo/sepolto via | 0.2mm |
| 19 | Finished di superficie | HAL, ENIG, ImAg, Imsn OSP, placcando AG, placcante oro |
| 20 | Materiali | FR4, HTG, Teflon, Rogers, ceramica, alluminio, base di rame |